晶圆缺陷AI检测定制:跨机台漂移与缺陷重分类
晶圆缺陷检测的难点不在于单张图能不能判对,而在于换机台、换批次、换工艺段之后还判得对。本期我们把这套定制系统拆成「缺陷发现—缺陷分类—缺陷聚类」三段:发现段用无监督重建做像素级异常定位,新缺陷类型不必先攒够标注样本;分类段用缺陷图块叠加工艺…
晶圆缺陷检测的难点不在于单张图能不能判对,而在于换机台、换批次、换工艺段之后还判得对。本期我们把这套定制系统拆成「缺陷发现—缺陷分类—缺陷聚类」三段:发现段用无监督重建做像素级异常定位,新缺陷类型不必先攒够标注样本;分类段用缺陷图块叠加工艺…
在晶圆缺陷检测实验中,我们把重点放在两个常被低估的问题上:一是不同机台、不同批次间灰度基线漂移,导致同一缺陷在A机判NG、B机判OK;二是复判环节的样本回流太慢,模型迭代周期被拉长。 阶段性进展: • 预处理阶段引入按机台与膜层分组的灰度归…
在《半导体晶圆AI缺陷检测系统定制》的阶段性实验中,我们把重点从单纯提升分类精度转向制程漂移下的稳定性。晶圆缺陷检测的难点不在单张图像,而在跨机台、跨批次的光照、膜厚与工艺窗口变化,导致同一模型误报率随周次上升。 实验采用无监督漂移评分监测…
「半导体晶圆AI缺陷检测系统定制」实验室近期把重心放在弱对比缺陷的检出稳定性上。晶圆表面的微划伤、残留与浅坑在明场下灰度差常低于3%,单纯依赖阈值分割,容易在换片号、换机台后出现波动。我们采用ROI对齐加多尺度特征融合的轻量分割网络,把缺陷…
晶圆缺陷AI复判的实验,主要卡在两件事上:一是不同扫描机台、不同工艺批次的图像灰度与噪声分布不一致,同一类缺陷在不同机台上特征漂移明显;二是缺陷类别之间形态差异小,而可用的标注样本往往只有几百条,直接训练容易过拟合。 阶段进展:我们把缺陷的…
在半导体晶圆的 AI 缺陷检测系统中,我们近期把重心从单工序的检出率移到了跨工序误报抑制上。原因很直接:在客户 12 英寸线的实测中,光刻后与刻蚀后的缺陷图样在灰度与边缘形态上高度相似,模型容易把上一工序残留的工艺标记判为真实缺陷,导致复判…
晶圆缺陷检测的难点往往不在"能否检出",而在"缺陷叫什么、值不值得复检"。产线上的自动缺陷分类(ADC)多沿用旧制程的缺陷编码表,颗粒、划痕、针孔、图形坍塌混在同一层级,输出难以直接支撑良率归因;而复…
在晶圆缺陷检测系统定制中,我们近期把重点放在一个容易被低估的问题上:模型在同一台设备上表现良好,换到另一台同型号机台后,检出率往往出现明显回落。原因通常不是算法本身,而是成像条件、光源衰减、载台平整度带来的灰度分布漂移。 我们的实验思路是把…
在《半导体晶圆AI缺陷检测系统定制》实验室的第三阶段实验中,我们把重点从算法精度转向了工程可落地性:产线上的缺陷样本天然稀疏,且不同制程段(光刻、刻蚀、薄膜)的形貌差异明显,直接训练通用模型容易过拟合到某一类噪声。 本阶段我们采用「缺陷图谱…
在做《半导体晶圆AI缺陷检测系统定制》时,我们把重点从单点缺陷分类移向晶圆图的空间模式识别:环形、弧形、划痕、中心簇、边缘密集等形态,往往比单个缺陷的类别更能指向具体制程环节。 进展:以产线现有的缺陷坐标数据为输入,将每片晶圆的缺陷点转为稀…
在半导体晶圆缺陷检测的定制实验中,我们把关注点从“模型能识别多少类缺陷”转向“检测结果经产线复判后能否被直接采信”。第一阶段在明场与暗场两种成像条件下用同一套分类模型分别推理,发现同一缺陷类型在两路光源下的置信度分布差异明显,划伤与颗粒污染…
晶圆表面缺陷检测的难点不在模型本身,而在缺陷型态长尾、标注成本高、产线节拍紧三者的冲突。本实验室《半导体晶圆AI缺陷检测系统定制》近期把工作拆成两条线:一条做已知缺陷的快速分类,一条做未知缺陷的兜底发现。 阶段进展: 已知缺陷线:采用迁移学…
在《半导体晶圆AI缺陷检测系统定制》的阶段性实验中,我们把重点放在缺陷类别长尾与产线灰度变化上。早期基线采用规则阈值加传统分类器,漏检集中在划痕、微颗粒等低频缺陷,且光刻、刻蚀批次漂移会让同一模型误报上升。 本轮进展: • 采用“通用预训练…