在晶圆缺陷检测实验中，我们把重点放在两个常被低估的问题上：一是不同机台、不同批次间灰度基线漂移，导致同一缺陷在A机判NG、B机判OK；二是复判环节的样本回流太慢，模型迭代周期被拉长。
阶段性进展：
• 预处理阶段引入按机台与膜层分组的灰度归一化与背景重建，先做漂移校正再送入检测网络，跨机台误报在测试集上下降约三成，漏检未明显上升。
• 检测结果与Review SEM坐标对齐后自动回流入库，按缺陷码分层抽样，小样本类别如微刮伤、残留，样本量两周内补充到可训练量级。
下一步计划：一是把漂移校正参数做成可配置项，换机台不必重训模型；二是验证28nm以下制程下灵敏度与节拍的平衡，目标单wafer判定时间控制在产线允许范围内。
我们不追求单点指标刷高，而是让检测结果可解释、可追溯：每条NG都附漂移校正前后对比与置信度，便于工艺工程师判断是真实缺陷还是量测波动。
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