在半导体晶圆缺陷检测的定制实验中，我们把关注点从“模型能识别多少类缺陷”转向“检测结果经产线复判后能否被直接采信”。第一阶段在明场与暗场两种成像条件下用同一套分类模型分别推理，发现同一缺陷类型在两路光源下的置信度分布差异明显，划伤与颗粒污染之间存在混淆。
要点1 · 进展：以晶圆图空间分布为约束，把单点缺陷判定与die级聚集性联合建模，先对孤立假点做空间一致性过滤。在现有测试集上，假点占比由约18%降至9%左右，真实缺陷召回保持稳定，划伤类召回略有提升。
要点2 · 下一步：引入跨机台灰度归一化，让不同检测设备的成像差异在进入模型前被对齐；同时与产线复判环节对接，把人工判定结果回流为增量样本，形成“检测—复判—回训”的轻量闭环，并观察一个季度内的模型漂移情况。
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