面板外观检测的难点在于表面近乎镜面：同轴明场下，细划伤与异物的对比度常被BM黑矩阵、走线等规则纹理淹没，而周期纹理本身又会带来与缺陷形状相似的响应。本实验室近期把成像与判定拆成两条相对独立的链路推进。
成像侧采用同轴明场与低角度暗场分时曝光，同一工位一次走位取两幅图：低角度通道对宽20μm以下微划伤、边缘崩缺的灰度差提升约3倍，明场通道保留异物与色差信息；Mura一类低对比度不均改用条纹反射采集斜率图，不与灰度阈值耦合。判定侧先用参考图配准差分剔除BM、走线与ITO纹理，再由轻量分割头输出缺陷掩膜、面积与对比度特征，按“尺寸—对比度”联合阈值分为A/B/C三级，C级转人工复判以压过杀。
在模组段试产线的一轮验证中，单片误检点由约8处降至2.5处，抽检样本内微划伤漏检为0，单工位节拍保持在1.2s以内，未额外增加产线节奏。
下一步计划：接入偏振通道复判，尝试区分表面异物与层间内部缺陷；并让小样本增量训练跟随换型流程走，降低新型号冷启动的标定成本。
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