光伏组件EL（电致发光）成像中，隐裂、断栅、虚焊等缺陷与正常暗区的灰度差往往只有几个灰度级，且随组件功率档位、曝光时间与相机噪声波动，固定阈值加形态学的做法漏检偏多。我们在一批182/210尺寸单晶组件上做了阶段性实验，把流程拆成成像归一化、缺陷分割、类型判定三段。
成像端用同批正常片的暗场均值做逐像素增益校正，抑制电池片排布带来的条带差异；分割端采用轻量U-Net加通道注意力，输入为原图与局部对比度增强图的通道叠加；标注端仅对约800张做全像素标注，其余约1.2万张以伪标签加一致性约束参与训练，降低标注成本。
阶段性结果：在自建2000张测试集上，隐裂类召回率由阈值基线约81%提升至94.6%，误报由每片2.7处降至0.8处；1080×1920单图在单张消费级显卡上推理约65 ms，基本可跟上产线节拍。
下一步：一是引入多曝光合成，进一步拉开弱对比度缺陷与背板的灰度差；二是将组件型号与功率档位作为条件输入，验证跨型号迁移的稳定性，并计划在两条实际产线上做小批量灰度验证。
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